Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | Ya. Ya. Kudryk, V. S. Slipokurov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073623 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019) -
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015) -
Operating modes of avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: P. P. Maksimov
Опубліковано: (2016) -
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008) -
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)