Зображення обкладинки

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автор:	V. L. Borblik
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073624
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

Control of plasmons excitation by P- and S-polarized light in gold nanowire gratings by azimuthal angle variation
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2019)

ELECTROSTATIC PROCESSES IN POWER CABLES
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Control of plasmons excitation by P- and S-polarized light in gold nanowire gratings by azimuthal angle variation
за авторством: Dan'ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

On the radial solutions of a p-Laplace equation with the Hardy potential
за авторством: M. Bakhadda, та інші
Опубліковано: (2023)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Structural and Electronic Properties of Lithium Nanowires
за авторством: V. G. Butko, та інші
Опубліковано: (2014)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Surface Effect on the Nanowire Forest Indentation
за авторством: Yang, F.
Опубліковано: (2018)

Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: A. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: Semenov, Andrew G., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum oscillations of resistivity in bismuth nanowires
за авторством: Condrea, E., та інші
Опубліковано: (2010)

Optimization of the electrostatic structure of the ion microprobe
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of the electrostatic structure of the ion microprobe
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2012)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Pseudodifferential equations with regular singularity for radial functions of the p-adic argument
за авторством: M. Serdiuk
Опубліковано: (2024)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Pseudodifferential equations with regular singularity for radial functions of the $p$-adic argument
за авторством: Serdiuk, M., та інші
Опубліковано: (2024)