Зображення обкладинки

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автор:	V. L. Borblik
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073624
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

ELECTROSTATIC PROCESSES IN POWER CABLES
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Control of plasmons excitation by P- and S-polarized light in gold nanowire gratings by azimuthal angle variation
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2019)

On the radial solutions of a p-Laplace equation with the Hardy potential
за авторством: M. Bakhadda, та інші
Опубліковано: (2023)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Optimization of the electrostatic structure of the ion microprobe
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of the electrostatic structure of the ion microprobe
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and Electronic Properties of Lithium Nanowires
за авторством: V. G. Butko, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: A. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: Semenov, Andrew G., та інші
Опубліковано: (2017)

Surface Effect on the Nanowire Forest Indentation
за авторством: Yang, F.
Опубліковано: (2018)

Electrostatic screening and Friedel oscillations in semiconducting nanotubes
за авторством: Chaplik, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Pseudodifferential equations with regular singularity for radial functions of the p-adic argument
за авторством: M. Serdiuk
Опубліковано: (2024)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Moment Method in Two-Dimensional Problem of Electrostatics
за авторством: Gribovsky, A. V.
Опубліковано: (2013)

Investigation of the electronic structure of nanowires VTM-Au
за авторством: Kasiyanenko, V. Kh., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)