Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, I. P. Studenyak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073656 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2005)
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Acousto-optic properties of GexS100–x glasses and acousto-optic modulator on their basis
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2014)
Electronic structure of Ag8GeS6
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic transport and optical properties of Mo0.5W0.5Te2 single crystal
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2019)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination
за авторством: M. M. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2015)
Electronic structure and optical properties of the GdNi2Mnx compounds
за авторством: Ju. V. Knjazev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. V. Knjazev, та інші
Опубліковано: (2018)
Definition of effective density of electronic surface state in nanocrystal films Bi2Te3-Sb2Te3
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2006)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Electronic spectra and structure of 1- and 2-fluoronaphthalene impurity centers in crystalline naphthalene
за авторством: M. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2021)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of fabrication technique on the structure and thermoelectric properties of Bi2Te3 films
за авторством: A. V. Budnik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Budnik, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
The structure, optical and electrical properties of vapor-phase condensates PbTe:Bi on mica
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Thermoelectric properties of PbTe-Bi2Te3 solid solutions thin films
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe
за авторством: Ilashchuk, М.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ilashchuk, М.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe
за авторством: M. I. Ilashchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. I. Ilashchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical and electrical properties of Tb–ZnO/SiO2 structure in the infrared spectral interval
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2019)
Optical and electrical properties of Tb–ZnO/SiO2 structure in the infrared spectral interval
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013) -
Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2005) -
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)