Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | I. I. Abbasov, Sh. S. Ismailov, Dzh. I. Gusejnov, V. A. Abdurakhmanova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001092571 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Fiatures of the electron structure and conduction mechanisms in the Zr1-xCexNiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив повітряного середовища на фізичні характеристики сцинтиляційного кристала ZnSe(Xse)
за авторством: Гальчинецький, Л.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гальчинецький, Л.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Magnetic nano-ordering in polycrystal and monocrystal chromium
за авторством: Rozouvan, T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Rozouvan, T., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Continuum modeling the elastic behavior of nanosized diamond monocrystals
за авторством: V. I. Kushch
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. I. Kushch
Опубліковано: (2023)
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Mechanical processing of diamond monocrystals by diamond microprouts with coating
за авторством: A. V. Nozhkina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Nozhkina, та інші
Опубліковано: (2018)
Reinforcement of rock cutting tool by large synthetic monocrystal
за авторством: M. S. Popova
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. S. Popova
Опубліковано: (2019)
Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Systems of Y(Eu)1–xCexBa2Cu3Oy and Y(Eu)1–xCexBa2Cu4Oy
за авторством: S. A. Nedilko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. A. Nedilko, та інші
Опубліковано: (2013)
The effects of strong correlations on the band structure of Ag₈SnSe₆ argyrodite
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Evidence of spin correlations in monocrystal ErAl3(BO3)4
за авторством: V. A. Bedarev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. A. Bedarev, та інші
Опубліковано: (2019)
A the study of thermodynamic and elastic properties of nanodiamond monocrystals by the method of classical molecular dynamics
за авторством: V. I. Kushch
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. I. Kushch
Опубліковано: (2022)
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006) -
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)