Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Y. O. Suchikova, S. S. Kovachov, I. O. Bardus, A. S. Lazarenko, I. T. Bohdanov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2022
|
| Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001377813 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024) -
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012) -
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)