Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000845652 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)