Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000845652 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Simulation of the electronic states in the band gap for ZnS: Cu, Cl crystallophosphors
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Hybrid bulk and planar heterojunctions with electroluminescent quantum dots CdZnSeS and poly(dioctylfluorene)
за авторством: Matvienko, O.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Matvienko, O.O., та інші
Опубліковано: (2012)
Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Investigation of electron-phonon interaction in bulk and nanostructured semiconductors
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Effect of heat treatment in Zn vapor on spectral kinetic, optical and mechanical properties of ZnSe(O,Te) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)