Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2018
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000845652 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
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