Зображення обкладинки

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000845652
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

The behavior of superconducting gaps in a two-band model of HTSC
за авторством: Konsin, P., та інші
Опубліковано: (1996)

Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)

On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)

Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions
за авторством: Ju. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

Sulfur content in the soils of Skua and Galindez Islands (Maritime Antarctic)
за авторством: Yu. Bedernichek, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)

Sub-kelvin Andreev reflection spectroscopy of superconducting gaps in FeSe
за авторством: D. L. Bashlakov, та інші
Опубліковано: (2019)