CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | A. F. Diadenchuk, V. V. Kidalov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000857846 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
CdS films growth by chemical bath deposition technique with substrate vibrating agitation
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2011) -
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Recrystallization processes in screen-printed CdS films
за авторством: Klad’ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2002) -
Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Structure model of bistable current switching in CdS films
за авторством: Panchekha, P.A., та інші
Опубліковано: (2004)