Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | O. G. Trubaeva, M. A. Chajka, O. V. Zelenskaja, A. I. Lalajants, S. N. Galkin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000858866 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)