Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | P. Sritonwong, S. Sanorpim, K. Onabe |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2018
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000860134 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
von: Żuberek, R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Żuberek, R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
von: Semenova, G.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Semenova, G.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
von: Normuradov, M.T., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Normuradov, M.T., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Ähnliche Einträge
-
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
von: Żuberek, R., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
von: Semenova, G.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)