Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. H. Lytovchenko, A. I. Kurchak, M. V. Strikha |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000883391 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices
за авторством: D. V. Korbutyak, та інші
Опубліковано: (2018) -
Anisotropy of conductivity in bilayer graphene with relatively shifted layers
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019) -
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
за авторством: Lytovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)