Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. V. Netjaga, V. N. Vodopjanov, V. I. Ivanov, I. G. Tkachuk, Z. D. Kovaljuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000885482 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018) -
Study of the excitation of 11/2<sup>–</sup> isomeric state of the nucleus <sup>139</sup>Se in reaction (&gamma;,n)<sup>m</sup> in the giant E1-resonance region
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2017) -
Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type <β–CD<FeSO4>>) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2021) -
Prediction of thermodynamic properties of melts of CaO–Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
за авторством: I. A. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2014)