Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | B. E. Bekirov, I. V. Ivanchenko, N. A. Popenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000885828 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Ultrasound propagation in bond frustrated HgCr₂S₄ spinel in magnetic fields
за авторством: Felea, V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Felea, V., та інші
Опубліковано: (2017)
Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование энергетических и зарядовых состояний ионов Со в Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Lattice dynamics and phase transitions in Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectric crystals
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Ultrasound propagation in bond fru-strated HgCr2S4 spinel in magnetic fields
за авторством: V. Felea, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Felea, та інші
Опубліковано: (2017)
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Electron irradiation, temperature, and stress effect on corrosion of Zr-, Ni-Cr-, and Fe-Cr-based alloys in the vicinity of the water coolant supercritical transition
за авторством: Bakai, O.S., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakai, O.S., та інші
Опубліковано: (2020)
Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012) -
Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000) -
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009) -
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018) -
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)