Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000888940 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019) -
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)