Device-technological simulation of the magnetosensitive sensor with integrated magnetic concentrator
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. R. Stempitskij, Dao Din Kha |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000892243 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017) -
The magnetosensitive transistors
за авторством: L. F. Vikulina
Опубліковано: (1998) -
Principles of design of wireless sensor network concentrator on basis of smart devices
за авторством: Yu. O. Braiko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Biomineralization and synthesis of biogenic magnetic nanoparticles and magnetosensitive inclusions in microorganisms and fungi
за авторством: Gorobets, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2014) -
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)