Frequency multipliers on semiconductor diode structures
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автор: | N. F. Karushkin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000892244 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Acoustic emission of semiconductors and diode structures (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
The structure peculiarities of semiconductor vibration-frequency sensors
за авторством: R. I. Bajtsar, та інші
Опубліковано: (1998) -
Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013) -
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)