Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | I. V. Mintianskyi, P. I. Savytskyi, Z. D. Kovaliuk, V. T. Masliuk, I. H. Mehela |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000898405 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013) -
Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
за авторством: S. V. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)