Haidar, H. P. (2018). Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Haidar, H. P. Variations in Electrophysical Properties of Heavily Doped Single Crystals of N-Ge<As> Under the Effect of Thermal Annealings. 2018.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Haidar, H. P. Variations in Electrophysical Properties of Heavily Doped Single Crystals of N-Ge<As> Under the Effect of Thermal Annealings. 2018.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.