Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автор: | H. P. Haidar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000898783 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015) -
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015) -
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021) -
Development of the CoCrAlY/ZrO<sub>2</sub>–8 % Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> type thermal barrier coating by surface doping of the metal layer with aluminum
за авторством: Yu. Yakovchuk, та інші
Опубліковано: (2022) -
Prediction of thermodynamic properties of melts of CaO–Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
за авторством: I. A. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2014)