Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | M. Zavada, O. Konoreva, P. Lytovchenko, V. Opilat, M. Pinkovska, O. Radkevych, V. Tartachnyk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000899769 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010) -
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010) -
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009) -
Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2006) -
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)