Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates

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Datum:	2018
Hauptverfasser:	Yu. Yu. Bacherikov, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, O. F. Kolomys, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000899779
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