On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Ju. V. Skripnik, V. M. Loktev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000910627 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014) -
To the possibility of liquid dielectrics use in wakefield method of charged particle acceleration
за авторством: Kiselev, V.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006) -
Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)