Зображення обкладинки

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	M. M. Vinoslavskii, P. A. Belevskii, V. M. Poroshin, O. S. Pilipchuk, V. O. Kochelap
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923037
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012)

Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
за авторством: Москаль, Д.С., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
за авторством: A. V. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Synthesis of Biologically Active Gibberellins GA4 and GA7 by Microorganisms
за авторством: T. P. Pyroh, та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)