Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | N. P. Tatyanenko, N. N. Roshchina, V. L. Gromashevskii, G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, B. A. Snopok |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923038 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Composite film structures containg ZnS, CdS nanoparticles prepared by MOC pyrolysis at low temperatures
за авторством: Svechnikov, G.S., та інші
Опубліковано: (2004) -
Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electron properties of semiconductor surface studied by the electroreflectance spectroscopy method
за авторством: Gentsar, P.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)