Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Klimovskaya, Yu. Yu. Kalashnyk, A. T. Voroshchenko, O. S. Oberemok, Yu. M. Pedchenko, P. M. Lytvyn |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923041 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019) -
The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
за авторством: Efremov, A., та інші
Опубліковано: (2007) -
Physico-Chemical model and computer simulations of silicon nanowire growth
за авторством: Efremov, A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Interfacial architecture on the fractal support: polycrystalline gold films as support for self-assembling monolayers
за авторством: Snopoka, B., та інші
Опубліковано: (1999) -
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)