Зображення обкладинки

Electronic properties of graphene with point defects

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Ju. V. Skripnik, V. M. Loktev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925614
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Effect of next-to-nearest neighbor hopping on electronic properties of graphene
за авторством: Suprunenko, Y.F., та інші
Опубліковано: (2008)

Electronic properties of functionalized graphene nanoribbons
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2013)

Electronic properties of functionalized graphene nanoribbons
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2013)

Graphene and graphene-based nanostructures
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Superconducting properties of a boson-exchange model of doped graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electronic spectra, topological states and impurity effects in graphene nanoribbons
за авторством: Yu. G. Pogorelov, та інші
Опубліковано: (2021)

Field emission properties of pointed cathodes based on graphene films on SiC
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2016)

On equivalence of two vacancy models, applied to electron spectrum of materials with honeycomb lattice
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of Double-Atom Vacancy Defects on the Elastic Properties of Single-Layered Graphene Sheets
за авторством: Wang, Z.Q., та інші
Опубліковано: (2017)

Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: V. M. Loktev, та інші
Опубліковано: (2012)

Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Tight-binding study of nonmagnetic-defect-induced magnetism in graphene
за авторством: Kumazaki, H., та інші
Опубліковано: (2008)

Electronic properties of graphene/ZnO 2D-2D composite
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic properties of graphene/ZnO 2D-2D composite
за авторством: Balabai, R.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Electron scattering in graphene by remote nanomagnets
за авторством: Y. Achenefe, та інші
Опубліковано: (2016)

Electron scattering in graphene by remote nanomagnets
за авторством: Y. Achenefe, та інші
Опубліковано: (2016)

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermodynamics of native points defects in telluride stanum
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Spectral function of graphene with short-range impurity centers
за авторством: Skrypnyk, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Thermal and mechanical properties of nonoxidized graphene – epoxy composites at low graphene loading
за авторством: N. V. Sigareva, та інші
Опубліковано: (2020)

Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation
за авторством: Y. V. Skrypnyk, та інші
Опубліковано: (2020)

Reflection of Slow Electrons from Graphene on (110)Mo
за авторством: M. M. Nishchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)

Properties of graphene in Landauer–Datta–Lundstrom transport model
за авторством: Ju. A. Krugljak
Опубліковано: (2015)

Electron and phonon states localized near boundary of graphene
за авторством: V. V. Eremenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Experimental determination of metal fuel point defect parameters
за авторством: Fluss, M.J., та інші
Опубліковано: (2009)

Positron spectroscopy study of structural defects and electronic properties of carbon nanotubes
за авторством: E. A. Tsapko, та інші
Опубліковано: (2020)

Reflection of Slow Electrons from Graphene on the (110)W Face
за авторством: M. M. Nishchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Recharging processes of point defects in zirconium dioxide nanoscale particles
за авторством: V. V. Bevz
Опубліковано: (2009)

Thermodynamically equilibrium point defects in the low-dimensional systems
за авторством: Mamalui, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)

The electrophysical properties of polymer-graphene oxide system
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2015)

Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Graphene oxide: preparation, properties, applications (review)
за авторством: N. A. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron structure and electric conductivity of graphene with a nitrogen impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2015)