Зображення обкладинки

Berry phase in strained InSb whiskers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925623
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Quantum magnetoresistance in Si &lt;B, Ni&gt; whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Critical fields and features of electromagnetic transport of Bi2Se3 whiskers at low temperatures
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

The Berry phase in graphene and graphite multilayers
за авторством: Mikitik, G.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)