Зображення обкладинки

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	O. A. Abdulkhaev, D. M. Jodgorova, A. V. Karimov, A. A. Jakubov, Sh. M. Kuliev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933501
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)