Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Karimov, A. Z. Rakhmatov, O. A. Abdulkhaev, Kh. Aripova, Ju. Khidirnazarova, Sh. M. Kuliev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933503 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Water treatment in the state of drops by pulse barrier discharge
за авторством: I. V. Bozhko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. V. Bozhko, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of the excessive dynamic pressure drop dependence on the efficiency of destruction of rocks
за авторством: Sh. Kh. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sh. Kh. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2017)
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Vibroequilibria of acoustically-levitating drops
за авторством: M. O. Chernova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. O. Chernova, та інші
Опубліковано: (2013)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)
Differential and variational formalism for an acoustically levitating drop
за авторством: M. O. Chernova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. O. Chernova, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Wake of a shattering fuel drop
за авторством: O. H. Hirin
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. H. Hirin
Опубліковано: (2015)
Software system for laser targeting dropped ammunition
за авторством: Bezpalko, S.O., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Bezpalko, S.O., та інші
Опубліковано: (2023)
Source of drops-free plasma flows of monocristaline zirconium
за авторством: Borisenko, A.G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borisenko, A.G., та інші
Опубліковано: (2019)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
The Bateman-type variational formalism for an acoustically-driven drop
за авторством: Timokha, A.N.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Timokha, A.N.
Опубліковано: (2023)
On the uniqueness of the variational solution for the problem of equilibrium of the pending drop
за авторством: Shcherbakov, E.A.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shcherbakov, E.A.
Опубліковано: (2010)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
High stability temperature control of the laser diode for interferometry
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2016)
Automated electric control of state of high-voltage isolators under voltage
за авторством: A. E. Orlovich, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. E. Orlovich, та інші
Опубліковано: (2011)
On the determination of the efficiency of catching fly-ash particles by drops
за авторством: Dubrovskyi V.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dubrovskyi V.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Differential and variational formalism for an acoustically levitating drop
за авторством: Chernova, M.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Chernova, M.O., та інші
Опубліковано: (2015)
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012) -
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)