Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Karimov, A. Z. Rakhmatov, O. A. Abdulkhaev, Kh. Aripova, Ju. Khidirnazarova, Sh. M. Kuliev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933503 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012) -
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)