Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. V. Lysakovskij, N. V. Novikov, S. A. Ivakhnenko, O. A. Zanevskij, T. V. Kovalenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Superhard Materials |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940307 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Formation of growth conditions for the receipt of structurally perfect diamonds under high pressure with temperature gradient method using
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2018) -
Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016) -
Defect-and-impurity state of diamond single crystals grown in the Fe–Mg–Al–C system
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2017) -
Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
за авторством: T. S. Panasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)