Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, O. B. Okhrimenko, N. I. Berezovska, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941356 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing
за авторством: Litvinov, V.L., та інші
Опубліковано: (2002) -
Optical properties of dysprosium monoantimonide thin films
за авторством: I. G. Tabatadze, та інші
Опубліковано: (2013) -
Optical properties of dysprosium monoantimonide thin films
за авторством: Tabatadze, I.G., та інші
Опубліковано: (2013)