A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | N. O. Sukhovii, N. M. Liakhova, I. V. Masol, V. I. Osinskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Data recording, storage & processing |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000944303 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Nanotextures of Vendian and Alb-Cenomanian phosphates of the Neardnistria
за авторством: S. B. Shekhunova, та інші
Опубліковано: (2016)