The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | L. Piskach, H. Makhnovets, H. Myronchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Proceedings of the Shevchenko Scientific Society : Shemical Sciences |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000954654 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006) -
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)