The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | L. Piskach, H. Makhnovets, H. Myronchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Proceedings of the Shevchenko Scientific Society : Shemical Sciences |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000954654 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂
за авторством: Гаджиев, Б.Р., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Гаджиев, Б.Р., та інші
Опубліковано: (1995)
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)₂ polycrystals near phase transitions
за авторством: Rosul, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rosul, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Phase diagram of the Tl2S–Ga2S3 system and the crystal structure of the Tl2Ga20S31 compound
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
Interaction in the system ZnS—ZnO—Sb2S3
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)
Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)
Optical properties of ZnS:Ni crystals obtained by diffusion doping
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Diffusion of chromium and impurity absorption in ZnS crystals
за авторством: Nitsuk, Yu.A.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Nitsuk, Yu.A.
Опубліковано: (2013)
Some features of Mn2+ EPR spectra in cubic nano-ZnS
за авторством: I. P. Vorona, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. P. Vorona, та інші
Опубліковано: (2020)
Електрофізичні властивості гетероструктури CuS/ZnS і системи CuS/ZnS-ПТФХЕ
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Optical absorption and diffusion of iron in ZnS single crystals
за авторством: Nitsuk, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nitsuk, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Properties uniformity studies for scintillation elements of 1D- and 2D-matrices on the basis of crystals ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
Взаимодействие в системе ZnS—ZnO—Sb₂S₃
за авторством: Зинченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Зинченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence properties of CsI:Tl crystals codoped with Eu
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
Phase equilibria in the system Tl2Te—SnTe—PbTe
за авторством: M. Y. Filep, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Y. Filep, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of annealing mode on ZnS-Cu,CI properties
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006) -
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)