Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x < 2)
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | O. V. Filonenko, V. V. Lobanov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000975855 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014) -
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010) -
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018) -
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011) -
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)