Зображення обкладинки

InAs photodiodes (Review. Part IV)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074340
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Time and Space in the Philosophy of Leibnitz. Part IV
за авторством: S. Secundant, та інші
Опубліковано: (2024)

Alpha particle detector based on micro pixel avalanche photodiodes
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)