Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. P. Maslov, A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, Yu. Kravetskyi, N. V. Kachur, Ye. F. Venher, A. T. Voroshchenko, I. H. Lutsyshyn, I. M. Matiiuk, A. V. Fedorenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020) -
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)