Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, M. I. Ilashchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074348 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999) -
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007) -
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)