Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | V. F. Onyshchenko, M. I. Karas |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074352 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020) -
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017) -
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022) -
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022) -
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)