Monopolar photoconductivity of the inversion layer and "slow"-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | N. I. Karas, V. F. Onishchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074355 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
"Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2017) -
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020) -
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)