Formation of growth conditions for the receipt of structurally perfect diamonds under high pressure with temperature gradient method using
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | A. V. Burchenia, V. V. Lysakovskyi, S. O. Hordieiev, V. A. Kalenchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Tooling materials science |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001084524 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
за авторством: T. S. Panasiuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018) -
Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2017) -
Phase transformations of n-layer graphenes into diamond at high pressures and temperatures
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Resistance of graphite materials under high pressure and high temterature
за авторством: O. V. Savitskyi, та інші
Опубліковано: (2019)