Зображення обкладинки

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	V. V. Ivzhenko, O. M. Kaidash, V. Z. Turkevych, A. L. Maistrenko, V. H. Kulych, P. P. Itsenko, V. M. Tkach
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Tooling materials science
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001084532
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Study of the influence of TiS additive on physico-mechanical properties of SiC-8B4C-material produced by hot pressing with following siliconizing
за авторством: V. V. Yvzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The influence of machining conditions on performance of diamond grinding of silicon carbide ceramic balls
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2018)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Research and development of material based on silicon carbide for die feeder device on the manufacturing of basalt fibers
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of the chromium carbide steel that obtained by hot pressing
за авторством: O. M. Shevchenko
Опубліковано: (2015)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

The influence of in situ formed TiB2–VB2 borides on the structure and properties of hot-pressed B4C–(TiH2–VC) ceramic system
за авторством: O. N. Kajdash, та інші
Опубліковано: (2018)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Sintering and properties of materials based on silicon, boron and titanium carbides obtained by electrospark sintering
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)

Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Changing the performance of diamond finishing of ceramic balls of boron carbide and silicon nitride
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2021)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical resistivity of pressureless sintered aluminum nitride based composite with addition of nanosized silicon carbide
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Structure formation in silicon carbide–alumina composites during electroconsolidation
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)