On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автор: | S. V. Iordanski |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000663863 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017) -
The capacitive component of double layer current in plasma
за авторством: Hrechko, Ya.O., та інші
Опубліковано: (2017) -
Point interactions with bound states: A zero-thickness limit of a double-layer heterostructure
за авторством: A. V. Zolotaryuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2001) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)