Зображення обкладинки

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	I. P. Storozhenko, S. I. Sanin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2022
Назва видання:	Radio Physics and Radio Astronomy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001392380
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotiuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Електронна структура твердих розчинів GaInN з домішками хрому і водню
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Особливості формування омічних контактів до n+-InN
за авторством: Sai, P. O., та інші
Опубліковано: (2019)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Constructively technological features of HIC for millimeter autodyne on Gunn diodes
за авторством: S. D. Votoropin
Опубліковано: (2006)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Synchronous generation of two oscillations of microwave and terahertz bands in avalanche generator diodes with external signal
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2016)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)

On oscillations in the premodulation diode of the vircator
за авторством: Melezhik, O.G., та інші
Опубліковано: (2015)