Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автори: | I. P. Storozhenko, S. I. Sanin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2022
|
Назва видання: | Radio Physics and Radio Astronomy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001392380 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)