Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | D. A. Kozlov, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, M. L. Savchenko, Z. Kvon, N. N. Mikhajlov, S. A. Dvoretskij, D. Weiss |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687578 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)
Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Scattering mechanisms of surface electrons in topological insulators
за авторством: Ju. V. Toporov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. V. Toporov, та інші
Опубліковано: (2019)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Influence of the Fermi velocity on the transport properties of the 3D topological insulators
за авторством: A. M. Korol, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. M. Korol, та інші
Опубліковано: (2019)
Sound insulation properties of one-dimensional three-layered plate
за авторством: L. A. Igumnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. A. Igumnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Multiple Andreev reflection in a two-dimensional topological insulator
за авторством: S. S. Apostolov
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. S. Apostolov
Опубліковано: (2015)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Detection of Early Formation of Two-Dimensional Electron Gas on the Surface of Topological Insulator
за авторством: M. L. Prokopovych, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. L. Prokopovych, та інші
Опубліковано: (2015)
Multiphysics processes in the region of inclusion in polyethylene insulation of power cable (three-dimensional modeling and experiment)
за авторством: A. D. Podoltsev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. D. Podoltsev, та інші
Опубліковано: (2015)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011) -
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017) -
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)