Manganese spin relaxation in ferromagnetic (Ga, Mn)As
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | I. V. Krajnov, N. S. Averkiev, E. Lдhderanta |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687581 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009) -
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009) -
Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
за авторством: Figielski, T., та інші
Опубліковано: (2003) -
Conductance relaxation in Langmuir-Blodgett manganese phthalocyanine (PcMn) films in inhomogeneous electrical field
за авторством: Kazantseva, Z., та інші
Опубліковано: (2005) -
Thermoelectric studies of electronic properties of ferromagnetic GaMnAs layers
за авторством: Osinniy, V., та інші
Опубліковано: (2008)