The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	A. S. Klepikova, Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin, B. N. Zvonkov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687585
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)

Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field
за авторством: A. S. Bogoljubskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Hall effect in organic layered conductors
за авторством: Hasan, R.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)

Hall operators on the set of formations of finite groups
за авторством: Mekhovich, A.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron beam Møller polarimeter at hall A, JLab
за авторством: Chudakov, E.A., та інші
Опубліковано: (2002)

Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)

On finite groups with Hall normally embedded Schmidt subgroups
за авторством: Kniahina, V.N., та інші
Опубліковано: (2018)

The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)