The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | A. S. Klepikova, Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin, B. N. Zvonkov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687585 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
On a Hall Hypothesis
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field
за авторством: A. S. Bogoljubskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Bogoljubskij, та інші
Опубліковано: (2017)
The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
Hall operators on the set of formations of finite groups
за авторством: Mekhovich, A.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Mekhovich, A.P., та інші
Опубліковано: (2010)
The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
Electron beam Møller polarimeter at hall A, JLab
за авторством: Chudakov, E.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Chudakov, E.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Existence of normal complement to the Hall subgroup
за авторством: Romanovsky , A. V., та інші
Опубліковано: (1992)
за авторством: Romanovsky , A. V., та інші
Опубліковано: (1992)
Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
On finite groups with Hall normally embedded Schmidt subgroups
за авторством: Kniahina, V.N., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kniahina, V.N., та інші
Опубліковано: (2018)
Hall effect studies in YBCO films
за авторством: Solovjov, A.L.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Solovjov, A.L.
Опубліковано: (1998)
Yuriy Glogovskyi and Lviv City Hall
за авторством: L. Kupchynska
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. Kupchynska
Опубліковано: (2018)
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013) -
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017) -
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)