Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687586
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
von: A. S. Klepikova, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
von: Dobretsova, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
von: Z. D. Kvon, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
von: Vlasenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (1998)

The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
von: D. A. Kozlov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
von: Венгель, П.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
von: D. A. Kozlov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
von: E. B. Olshanetsky, et al.
Veröffentlicht: (2021)

HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
von: Bekirov, B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
von: T. B. Charikova, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field
von: A. S. Bogoljubskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
von: P. D. Marjanchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
von: V. I. Okulov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
von: Maryanchuk, P. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
von: N. G. Shelushinina, et al.
Veröffentlicht: (2017)