Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | A. S. Bogoljubskij, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, M. V. Jakunin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687588 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Antisymmetric Orbit Functions
за авторством: Klimyk, A., та інші
Опубліковано: (2007) -
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017) -
The contribution to the scattering of electrons in the magnetoresistance of multilayers of nonmagnetic metals
за авторством: Protsenko, I.Yu., та інші
Опубліковано: (2016) -
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017) -
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)