Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | V. P. Veleshchuk, O. I. Vlasenko, Z. K. Vlasenko, V. A. Hnatiuk, S. M. Levytskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703052 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Dependence of the melting threshold of CdTe on the wavelength and pulse duration of laser radiation (Article retracted)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)